	GIST(광주과학기술원) 보도자료 http://www.gist.ac.kr
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자료 문의	물리광과학과 도용주 교수	062-715-5921

최고 작동 온도를 갖는 초전류 트랜지스터 개발

- 절대온도 4켈빈에서 작동, 임계 전류도 100배 향상…초전류 양자소자 활용 가능성 높여

-  GIST 도용주 교수팀, 나노 분야 전문 학술지 ACS Nano 논문 게재

□ GIST(광주과학기술원) 도용주 교수팀(물리·광과학과)이 반도체 나노선*을 이용해 작동 온도와 최고 임계 전류를 향상시킨 ‘초전류* 트랜지스터’ 개발에 성공했다.

∘ 기존 초전류 트랜지스터에 비해 작동 성능을 대폭 향상시킴으로써 초전류 트랜지스터를 활용한 양자 컴퓨터 소자 구현 및 실용화 연구에 크게 기여할 것으로 기대된다.

* 반도체 나노선 : 반도체 물질로 이루어진 나노 막대 또는 나노선 모양의 일차원 나노구조체

* 초전류 : 전자 두 개가 짝을 지어 ‘쿠퍼쌍’을 이루면서 저항이 0이 되는 초전도 물질 상태에서 흐르는 전류. 전류가 흐르더라도 이로 인한 전력 손실이 발생하지 않는다. 초전류 트랜지스터는 게이트 전극에 전압을 인가함으로써 초전류의 개폐(On/Off)를 작동시키는 양자 물리학 원리를 응용한 트랜지스터 소자로, 양자컴퓨터 단위 소자인 큐빗으로 사용될 수 있다.

□ 초전도 물질은 저항이 0인 상태를 유지함으로써 열손실 없이 전류를 흐르게 하는 장점을 갖지만, 이를 소자로 충분히 활용하기 위해서는 초전류의 개폐(on/off)를 자유롭게 제어할 수 있어야 한다.

∘ 이를 위해 연구되고 있는 ‘초전류 트랜지스터’는 반도체 나노선 내부의 수송 전하 개수를 인위적으로 조절함으로써 초전류의 흐름을 조절할 수 있는데, 서로 다른 물질인 초전도체 전극과 반도체 물질 사이에 생기는 장벽 때문에 트랜지스터에 흐르는 초전류의 크기는 매우 작은 값을 갖는다.

∘ 작은 크기의 이 초전류는 온도가 만들어 내는 열 잡음에 취약하기 때문에 초전도 트랜지스터는 절대온도* 1켈빈(1K=영하 272℃)의 극저온 상태에서 작동할 수밖에 없는 상황이어서 응용에 어려움이 있다.

* 절대온도: 켈빈(Kelvin)으로 표현되는 온도 체계. 절대 영도(0 Kelvin)는 영하 273.15℃에 해당.

□ 연구팀은 황화납 반도체 나노선에 납·인듐 합금으로 이루어진 초전도 전극을 부착해 고품질 접합을 형성함으로써 초전류의 임계 전류값을 기존 대비 100배 이상 향상시키고, 작동 온도도 5배 이상 상승시킨 초전류 트랜지스터를 개발했다.

∘ 기존 초전류 트랜지스터의 경우 초전류의 최대 임계 전류값이 0.1μA* 안팎이고 작동 온도는 절대온도 1켈빈 이하인데 비해, 연구팀이 개발한 초전류 트랜지스터는 10μA 이상의 임계 전류값을 기록했으며, 4켈빈(약 영하 268도로서 액체 헬륨의 온도에 해당함) 안팎의 온도에서 작동 가능하다.

* 마이크로암페어(μA): 1마이크로암페어는 1암페어의 백만분의 1의 크기

∘ 도용주 교수는 “이번 성과는 극저온에서만 작동하던 기존 초전류 양자 소자의 작동 온도를 액체 헬륨 온도(4.2 켈빈)까지 향상시켰다는 데 의의가 있다”며 “향후 작동 온도뿐만 아니라 위상학적으로도 안정적인 양자 상태를 지속시킬 수 있도록 위상 절연체*를 이용한 초전류 트랜지스터를 개발할 계획”이라고 말했다.

* 위상 절연체 : 일반 절연체와 유사하게 에너지 간극을 가지면서 위상학적 조건을 따라 절연체 표면이 금속성 전기 전도도를 갖는 신물질. 위상 절연체 초전류 트랜지스터에서 생성되는 양자 상태는 기존 반도체 기반의 초전류 트랜지스터보다 안정적이다. 향후 초전류 기반의 양자컴퓨터 구현과 마요라나 페르미온 같은 특이한 인공 준입자 검출 연구에서 결정적인 역할을 할 것으로 전망된다.

□ 도용주 교수(교신저자)가 주도하고 김범규 박사(제1저자, 박사 후 연구원)가 수행한 이번 연구는 미래창조과학부와 한국연구재단이 지원하는 중견 핵심 사업과 선도형 연구센터(SRC)의 지원을 받았으며, 나노 분야 권위지 학술지인 ACS 나노(ACS Nano) 1월 4일자 온라인에 게재되었다.     <끝>

※ 논문 제목 : Strong Superconducting Proximity Effects in PbS Semiconductor Nanowires

교신저자: 도용주 교수 (GIST 물리·광과학과), 1저자 : 김범규 박사 (GIST 물리·광과학과 박사후연구원)

용 어 설 명

ACS Nano

○ 미국 화학회가 발간하는 나노 과학 분야의 세계적 권위지 (2015년 IF=13.33)

초전류 (supercurrent)

○ 양자 물리학 원리에 의해서 저항이 0이 되는 초전도 상태에서 흐르는 전류로서 전류가 흐르더라도 이로 인한 전력 손실이 발생하지 않는다. 초전도 현상의 발견으로 네덜란드 과학자 카멜링 온네스 박사가 1913년 노벨 물리학상을 수상하였고, 초전도 현상을 설명하는 이론을 정립한 존 바딘, 리언 쿠퍼, 존 슈리퍼 세 사람이 1972년 노벨 물리학상을 공동 수상하였다.

초전류 트랜지스터 (supercurrent transistor)

○ 양자 물리학 원리를 응용하여 초전류가 흐르는 도선 주변에 게이트 전극을 써서 전압을 인가함으로써 초전류의 개폐(On/Off)를 작동시키는 양자 소자

그 림 설 명

[그림 1] (a) 황화납(PbS) 반도체 나노선을 이용한 초전류 트랜지스터의 전자현미경 사진. 가운데 가로 질러 놓여있는 나노선이 PbS 반도체 나노선이고, 여기에 부착된 여러 전극들은 납·인듐 합금으로 만든 초전도체 전극들이다. (b) 황화납 초전도 트랜지스터에 마이크로파를 쪼여주었을 때 특징적으로 나타나는 전압의 양자화 효과를 입증하는 전류(x축)-전압(y축) 특성 실험 결과. 마이크로파의 세기(서로 다른 색깔로 표시됨)를 바꾸어도 동일한 마이크로파 진동수 10.4GHz에 대응하는 20μV의 정수값으로 초전도 트랜지스터 소자의 전압이 양자화 됨.

도용주 교수[교신저자] 이력사항

1. 인적사항

소 속 : 광주과학기술원 물리·광과학과

전 화 : 062-715-5921

e-mail : yjdoh@gist.ac.kr

Homepage: http://phys.gist.ac.kr/

2. 학력사항

1987 - 1992  서울대학교 물리학과 학사

1992 - 1994  POSTECH 물리학과 석사

1994 - 2000  POSTECH 물리학과 박사

3. 경력사항

2000 - 2003  서울대학교 물리학과 박사후연구원

2003 - 2005  Kavli Institute of Nanoscience Delft 나노과학과 박사후연구원

2005 - 2007  Harvard 대학교 화학과 박사후연구원

2007 – 2009  POSTECH 신소재공학과/물리학과 연구교수

2010 - 2016  고려대학교 디스플레이·반도체물리학과 부교수/교수

2016 -       광주과학기술원 물리·광과학과 교수

4. 연구지원 정보

2016. 3 - 현재  광주과학기술원 물리·광과학과 교수

2016. 7 -  현재  미래창조과학부/한국연구재단 응집상 양자결맞음 선도연구센터(SRC) 공동연구

2015. 5 – 현재  미래창조과학부/한국연구재단 중견핵심과제 과제책임자

5. 주요연구업적

[교신저자, IF: 13.33] “Quantum Electronic Transport of Topological Surface States in β-Ag2Se Nanowire”, ACS Nano 10, 3936 (2016).

[교신저자, IF: 13.78] “Hot Carrier Trapping Induced Negative Photoconductance in InAs

Nanowires toward Novel Nonvolatile Memory”, Nano Letters 15, 5875 (2015).

[공동저자, IF: 11.33] “Polarity-tunable magnetic tunnel junctions based on ferromagnetism at oxide heterointerfaces”, Nature Communications 6, 8035 (2015).

[교신저자, IF: 11.33] “Complete gate control of supercurrent in graphene p-n junctions”, Nature Communications 4, 2525 (2013).

[제1저자, IF: 33.61] “Tunable Supercurrent Through Semiconductor Nanowires”, Science 309, 272 (2005).